ГОСТ 4.64-80 СПКП. Полупроводниковые материалы. Номенклатура показателей (с Изменением N 1)

Последнее Обновление Декабрь 06, 2018
< Назад

Настоящий стандарт устанавливает номенклатуру основных показателей качества объемных монокристаллов полупроводниковых материалов, включаемых в ТЗ на НИР по определению перспектив развития этой группы продукции, государственные стандарты с перспективными требованиями, а также номенклатуру показателей качества, включаемых в разрабатываемые и перспективные стандарты на продукцию, ТЗ на ОКР, технические условия, карты технического уровня и качества продукции.

Коды ОКП приведены в справочном приложении 1.

1.НОМЕНКЛАТУРА ПОКАЗАТЕЛЕЙ КАЧЕСТВА ОБЪЕМНЫХ МОНОКРИСТАЛЛОВ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ МАТЕРИАЛОВ

Номенклатура показателей качества, единицы измерения, условные обозначения, а также характеризуемые свойства, приведены в табл.1.

Алфавитный перечень показателей качества полупроводниковых материалов приведен в справочном приложении 2.

Таблица 1

Показатель качества и единица измеренияУсловное обозначение показателя качестваХарактеризуемое свойство
1. Удельное электрическое сопротивление, Ом·смЭлектрофизическое свойство
1.1. Номинальное значение удельного электрического сопротивления, Ом·см
1.2. Интервал номинальных значений удельного электрического сопротивления, Ом·см
1.3. Интервал значений удельного электрического сопротивления, Ом·см
2. Относительное отклонение удельного электрического сопротивления от среднего значения по длине монокристаллического слитка, %Электрофизическое свойство
3. Радиальное относительное отклонение удельного электрического сопротивления от среднего значения по торцу монокристаллического слитка, %Электрофизическое свойство
4. Относительное отклонение средних значений удельного электрического сопротивления торцов от номинального значения удельного электрического сопротивления, %Электрофизическое свойство
5. Ориентация продольной оси монокристаллического слиткаКристаллографическое свойство
6. Отклонение плоскости торцового среза от плоскости ориентации, °Кристаллографическое свойство
7. Концентрация атомов оптически активных примесей, смХимический состав
7.1. Концентрация атомов оптически активного кислорода, см
7.2. Концентрация атомов оптически активного углерода, см
8. Геометрическая характеристика поперечного сечения монокристаллического слитка
8.1. Диаметр монокристаллического слитка, мм
8.2. Интервал номинальных значений диаметров, мм
8.3. Площадь поперечного сечения монокристаллического слитка, мм
9. Отклонение диаметра монокристаллического слитка от номинального значения, мм
10. Длина монокристаллического слитка, мм
11. Плотность дислокаций, смСтруктурное совершенство
12. Время жизни неравновесных носителей заряда, мкс, или диффузионная длина, мм  Электрофизическое свойство
13. Суммарная длина малоугловых границ, мм или доли диаметраСтруктурное совершенство
14. Концентрация основных несителей заряда, смЭлектрофизическое свойство
15. Относительное отклонение от номинального значения концентрации основных носителей заряда, %Электрофизическое свойство
16. Подвижность основных носителей заряда, см /(В.с)Электрофизическое свойство
17. Внешние дефекты (трещины, раковины, сколы)
18. Внутренние дефектыСтруктурное совершенство
18.1. Раковины, трещины
18.2. Наличие второй фазы
18.3. Наличие двойниковых границ
18.4. Наличие свирл-дефектов

Примечания:

1.Допускается использование других показателей качества, связанных с особенностями отдельных полупроводниковых материалов, по согласованию с потребителями.

2.В качестве удельного электрического сопротивления используется один из показателей 1.1-1.3.

В качестве геометрической характеристики поперечного сечения монокристаллического слитка используется один из показателей 8.1-8.3.

Внутренние дефекты характеризуются показателем 18 или комплексом показателей 18.1-18.4.

3.Для германия вместо показателя 4 используется показатель: «Относительное отклонение значений удельного электрического сопротивления торцов от номинального значения удельного электрического сопротивления, %».

(Измененная редакция, Изм. N 1).

2.ПРИМЕНЯЕМОСТЬ ПОКАЗАТЕЛЕЙ КАЧЕСТВА

Применяемость показателей качества полупроводниковых материалов приведена в табл.2-6.

Таблица 2. Кремний монокристаллический

Номер показателя качестваКремний моно- кристал- лический для полупро- водниковых приборов и микросхемКремний моно- кристал- лический для эпитак- сиальных структурКремний моно- кристал- лический для силовой полупро- водниковой техникиКремний монокристал- лический для фотоприем- никовКремний монокристал- лический для источников токаКремний монокристал- лический для детекторов ядерных излученийКремний монокристал- лический водородный
1+++++++
2+++++
3+++±
4++±±
5+++++++
6++++++
7.1++++++
7.2±±
8+++++++
9++±±
10+++++++
11++++++
12±±+++++
13±±+
17+++++++
18.1+++++++
18.4±±±

Таблица 3. Германий монокристаллический

Номер показателя качестваГерманий монокристаллический для полупроводниковых приборов и микросхемГерманий монокристаллический для эпитаксиальных структурГерманий монокристаллический для оптоэлектроникиГерманий монокристаллический для ядерной спектрометрии
1++±±
2±±±
3±±±
4++
5++++
6±
8++++
9±±±±
10++++
11±+±+
12±+
13±±
14±
16±±±
17++++
18.1++++
18.2±±
18.3++++

Таблица 4. Антимонид индия монокристаллический

Номер показателя качестваАнтимонид индия для полупроводниковых приборовАнтимонид индия для эпитаксиальных структур
1±
5++
6±+
8++
10±+
11++
12±
13+
14++
15+
16++
17++
18++

Таблица 5. Арсенид галлия монокристаллический

Номер показателя качестваАрсенид галлия для полупроводниковых приборов, микросхем и эпитаксиальных структурАрсенид галлия для источников тока
1±
5++
6++
8++
9+
10++
11++
14++
15+
16+
17++
18±±

Таблица 6. Фосфид галлия, арсенид индия, фосфид индия монокристаллические

Номер показателя качестваФосфид галлия для полупроводниковых приборов и эпитаксиальных структурАрсенид индия для полупроводниковых приборов и эпитаксиальных структурФосфид индия для полупроводниковых приборов и эпитаксиальных структур
1±±
5+++
6+++
8+++
9+++
10+++
11+++
12+
13++
14++
15+
16++
17+++
18±±±

Примечание к табл.2-6. Знак «+» обозначает применение показателя качества, знак «-» обозначает неприменение показателя качества, знак «±» обозначает ограниченное применение показателя.

(Измененная редакция, Изм. N 1).

Приложение 1 Справочное

Наименование продукцииКод ОКП
Кремний монокристаллический, полученный методом Чохральского, для полупроводниковых приборов и микросхем17 7211
Кремний монокристаллический, полученный методом Чохральского, для силовой полупроводниковой техники17 7212
Кремний монокристаллический, полученный методом Чохральского, для эпитаксиальных структур17 7213
Кремний монокристаллический, полученный методом Чохральского, для источников тока17 7215
Кремний монокристаллический, полученный методом бестигельной зонной плавки, для полупроводниковых приборов и микросхем17 7221
Кремний монокристаллический, полученный методом бестигельной зонной плавки, для силовой полупроводниковой техники17 7222
Кремний монокристаллический, полученный методом бестигельной зонной плавки, для фотоприемников17 7224
Кремний монокристаллический, полученный методом бестигельной зонной плавки, для детекторов ядерных излучений17 7226
Кремний монокристаллический водородный17 72211000
Германий монокристаллический для полупроводниковых приборов и микросхем17 7441
Германий монокристаллический для эпитаксиальных структур17 7443
Германий монокристаллический для оптоэлектроники17 7444
Германий монокристаллический для ядерной спектрометрии17 7447
Антимонид индия монокристаллический17 7532
Арсенид галлия монокристаллический17 7512
Фосфид галлия монокристаллический17 7542
Арсенид индия монокристаллический17 7522
Фосфид индия монокристаллический17 7552

(Введено дополнительно, Изм. N 1).

Приложение 2. Справочное. АЛФАВИТНЫЙ ПЕРЕЧЕНЬ показателей качества полупроводниковых материалов

Наименование показателя качестваНомер показателя качества
Время жизни неравновесных носителей заряда12
Дефекты внешние17
Дефекты внутренние18
Диаметр монокристаллического слитка8.1
Длина малоугловых границ суммарная13
Длина монокристаллического слитка10
Длина диффузионная12
Значение удельного электрического сопротивления номинальное1.1
Интервал значений удельного электрического сопротивления1.3
Интервал номинальных значений диаметров8.2
Интервал номинальных значений удельного электрического сопротивления1.2
Концентрация атомов оптически активных примесей7
Концентрация атомов оптически активного кислорода7.1
Концентрация атомов оптически активного углерода7.2
Концентрация основных носителей заряда14
Наличие второй фазы18.2
Наличие двойных границ18.3
Наличие свирл-дефектов18.4
Ориентация продольной оси монокристаллического слитка5
Отклонение диаметра монокристаллического слитка от номинального значения9
Отклонение относительное от номинального значения концентрации основных носителей заряда15
Отклонение плоскости торцевого среза от плоскости ориентации6
Отклонение относительное средних значений удельного электрического сопротивления торцов от номинального значения удельного электрического сопротивления4
Отклонение относительное удельного электрического сопротивления от среднего значения по длине монокристаллического слитка2
Отклонение относительное радиальное удельного электрического сопротивления от среднего значения по торцу монокристаллического слитка3
Плотность дислокаций11
Площадь поперечного сечения монокристаллического слитка8.3
Подвижность основных носителей заряда16
Раковины17; 18.1
Сколы17
Сопротивление удельное электрическое1
Характеристика геометрическая поперечного сечения монокристаллического слитка8

___________________________________________________

Добавить комментарий

Ваш e-mail не будет опубликован. Обязательные поля помечены *

Авторизация
*
*
Регистрация
*
*
Номер телефона без знака «+», например «79876543210». На указанный номер будет выслан код подтверждения.

*
Нажимая кнопку "Зарегистрироваться" Вы даете согласие на обработку персональных данных в соответствии с "Пользовательским соглашением".
Генерация пароля