ГОСТ 22622-77 Материалы полупроводниковые. Термины и определения основных электрофизических параметров

ГОСТ 22622-77 Материалы полупроводниковые. Термины и определения основных электрофизических параметров

Последнее Обновление Декабрь 11, 2018
< Назад

Настоящий стандарт устанавливает применяемые в науке, технике и производстве термины и определения основных понятий полупроводниковых материалов.

Введение

Термины, установленные настоящим стандартом, обязательны для применения в документации всех видов, учебниках, учебных пособиях, технической и справочной литературе. Приведенные определения можно, при необходимости, изменять по форме изложения, не допуская нарушения границ понятий.

Для каждого понятия установлен один стандартизованный термин. Недопустимые к применению термины-синонимы приведены в стандарте в качестве справочных и обозначены «Ндп».

Для отдельных стандартизованных терминов в стандарте приведены в качестве справочных краткие формы, которые разрешается применять в случаях, исключающих возможность их различного толкования.

В стандарте приведен алфавитный указатель содержащихся в нем терминов на русском языке.

Стандартизованные термины набраны полужирным шрифтом, их краткая форма — светлым, а недопустимые синонимы — курсивом.

В стандарте приведено приложение, содержащее общие понятия физики твердого тела, применяемые к полупроводникам.

Термин
Определение
1.
Проводниковый материал Материал, предназначенный для использования его полупроводниковых свойств
2.
Полупроводник По ГОСТ 19880-74*
________________* На территории Российской Федерации действует ГОСТ Р 52002—2003 (здесь и далее).
ВИДЫ И СОСТОЯНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВ
3.
Простой полупроводник Полупроводник, основной состав которого образован атомами одного химического элемента
4.
Сложный полупроводник Полупроводник, основной состав которого образован атомами двух или большего числа химических элементов
5.
Электронный полупроводник Полупроводник, электропроводность которого обусловлена в основном перемещением электронов проводимости
6.
Дырочный полупроводник Полупроводник, электропроводность которого обусловлена в основном перемещением дырок проводимости
7.
Примесный полупроводник Полупроводник, электропроводность которого определяется примесями
8.
Собственный полупроводник Полупроводник, не содержащий примесей, влияющих на его электропроводность
9.
Вырожденный полупроводник Полупроводник, уровень Ферми в котором расположен в зоне проводимости или в валентной зоне, или же в запрещенной зоне на расстоянии от границ указанных зон, меньшем кТ
10.
Невырожденный полупроводник Полупроводник, уровень Ферми в котором расположен в запрещенной зоне на расстоянии от ее границ, большем кТ
11.
Частично компенсированный полупроводник Примесный полупроводник, электронная (дырочная) проводимость которого частично компенсирована дырочной (электронной) проводимостью примесей
12.
Скомпенсированный полупроводник Примесный полупроводник, в котором в нормальных условиях концентрации электронов проводимости и дырок проводимости одинаковы
ОСНОВНЫЕ ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВ
13.
Носитель заряда По ГОСТ 19880-74
14.
Дырка проводимостиДырка Незаполненная валентная связь, которая проявляет себя как положительный заряд, численно равный заряду электрона
15.
Основные носители заряда полупроводникаОсновные носители Носители заряда, концентрация которых в данном полупроводнике преобладает
16.
Неосновные носители заряда полупроводникаНеосновные носители Носители заряда, концентрация которых в данном полупроводнике меньше, чем концентрация основных носителей заряда
17.
Равновесные носители заряда полупроводникаРавновесные носителиНдп. Тепловые носители Носители заряда, возникновение которых явилось следствием тепловых колебаний кристаллической решетки полупроводника в условиях термодинамического равновесия
18.
Неравновесные носители заряда полупроводникаНеравновесные носители Носители заряда полупроводника, не находящиеся в термодинамическом равновесии по концентрации и (или) по энергетическому распределению
19.
Горячие носители заряда Неравновесные носители заряда полупроводника, средняя энергия которых существенно превышает равновесную энергию, соответствующую температуре кристаллической решетки
20.
Электронная электропроводность полупроводникаЭлектронная электропроводностьНдп. Электронная проводимость Электропроводность полупроводника, обусловленная в основном перемещением электронов проводимости
21.
Дырочная электропроводностьНдп. Дырочная проводимость Электропроводность полупроводника, обусловленная в основном перемещением дырок проводимости
22.
Собственная электропроводностьНдп. Собственная проводимость Электропроводность полупроводника, обусловленная генерацией пар электрон проводимости — дырка проводимости при любом способе возбуждения
23.
Примесная электропроводность полупроводникаПримесная электропроводность Электропроводность полупроводника, обусловленная ионизацией атомов донорной или акценторной примесей при любом способе возбуждения
24.
Фотопроводимость Электропроводность полупроводника, обусловленная фоторезистивным эффектом
25.
Собственная концентрация носителей заряда полупроводникаСобственная концентрация Концентрация равновесных носителей заряда в собственном полупроводнике
26.
Равновесная концентрация носителей заряда полупроводникаРавновесная концентрация Концентрация подвижных носителей заряда в полупроводнике в условиях термодинамического равновесия
27.
Концентрация неравновесных носителей заряда полупроводникаНеравновесная концентрация Концентрация носителей заряда в полупроводнике, отличная от равновесной
28.
Избыточная концентрация носителей заряда полупроводникаИзбыточная концентрация Избыток концентрации неравновесных носителей заряда в полупроводнике над концентрацией равновесных носителей заряда
29.
Критическая концентрация электронов проводимости полупроводникаКритическая концентрация электронов Концентрация электронов проводимости полупроводника, при которой уровень Ферми совпадает с нижней границей зоны проводимости
30.
Критическая концентрация дырок проводимости полупроводникаКритическая концентрация дырок Концентрация дырок проводимости полупроводника, при которой уровень Ферми совпадает с верхней границей валентной зоны
31.
Эффективная масса носителя заряда полупроводникаЭффективная масса носителя заряда Величина, имеющая размерность массы и характеризующая движение носителя заряда в полупроводнике под действием внешнего электромагнитного поля
32.
Эффективное сечение захвата носителя заряда полупроводникаЭффективное сечение захвата Величина, имеющая размерность площади и обратная произведению концентрации носителей заряда данного типа в полупроводнике на средний путь, проходимый носителями от освобождения до захвата
33.
Диффузионная длина неосновных носителей заряда полупроводникаДиффузионная длина Расстояние, на котором в однородном полупроводнике при одномерной диффузии в отсутствие электрического и магнитного полей избыточная концентрация неосновных носителей заряда уменьшается вследствие рекомбинации в ераз
34.
Объемное время жизни неравновесных носителей заряда полупроводникаОбъемное время жизни Среднее время между генерацией и рекомбинацией неравновесных носителей зарядов в объеме полупроводника
35.
Поверхностное время жизни неравновесных носителей заряда полупроводникаПоверхностное время жизни Отношение избыточного количества неравновесных носителей заряда в объеме полупроводника к плотности их потока на поверхности
36.
Эффективное время жизни неравновесных носителей заряда полупроводникаЭффективное время жизни Величина, характеризующая скорость убывания концентрации неравновесных носителей заряда вследствие их рекомбинации как в объеме, так и на поверхности полупроводника
37.
Длина дрейфа неравновесных носителей заряда полупроводникаДлина дрейфа Средняя длина переноса неравновесных носителей заряда в полупроводнике электрическим полем за время, прошедшее с момента их возбуждения до рекомбинации
38.
Скорость поверхностной рекомбинации носителей заряда полупроводникаСкорость поверхностной рекомбинации Отношение плотности потока носителей заряда, рекомбинировавших на поверхности полупроводника, к концентрации избыточных носителей заряда у поверхности
39.
Энергия активации примесей полупроводникаЭнергия активации Минимальная энергия возбуждения примесного атома, необходимая для создания примесной электропроводности полупроводника
40.
Концентрация вырождения полупроводникаКонцентрация вырождения Минимальная концентрация носителей заряда, соответствующая вырождению полупроводника при данной температуре
41.
Степень компенсации полупроводникаСтепень компенсации Отношение концентрации неосновных носителей заряда, созданных возбужденной примесью, и собственных носителей заряда полупроводника
42.
Инверсионный слой полупроводникаИнверсионный слой Приповерхностный слой полупроводника, обладающий электропроводностью, противоположной по закону электропроводности глубинных слоев
ПРОЦЕССЫ И ЯВЛЕНИЯ В ПОЛУПРОВОДНИКАХ
43.
Освобождение носителя заряда полупроводникаОсвобождение носителя Возникновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате возбуждения дефекта решетки полупроводника
44.
Захват носителя заряда полупроводникаЗахват носителя Исчезновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате перехода на локальный уровень дефекта решетки полупроводника
45.
Инжекция носителей зарядаИнжекция Введение носителя заряда в полупроводник
46.
Экстракция носителей зарядаЭкстракция Выведение носителя заряда из полупроводника
47.
Генерация носителей заряда полупроводникаГенерация Процесс превращения связанного электрона в свободный, сопровождающийся образованием незавершенной связи с избыточным положительным зарядом
48.
Генерация пары носителей зарядаГенерация пары Возникновение в полупроводнике пары электрон проводимости — дырка проводимости в результате энергетического воздействия
49.
Монополярная световая генерация носителей заряда полупроводникаМонополярная световая генерация Возникновение в полупроводнике в результате оптического возбуждения неравновесных носителей одного знака
50.
Биполярная световая генерация носителей заряда полупроводникаБиполярная световая генерация Возникновение в полупроводнике в результате оптического возбуждения равного числа носителей зарядов обоих знаков
51.
Рекомбинация носителей заряда полупроводникаРекомбинация Нейтрализация пары электрон проводимости — дырка проводимости
52.
Межзонная рекомбинация носителей заряда полупроводникаМежзонная рекомбинацияНдп. Прямая рекомбинация Рекомбинация носителей заряда полупроводника, осуществляемая путем перехода свободного электрона в валентную зону
53.
Фотонная рекомбинация носителей заряда полупроводникаФотонная рекомбинация Межзонная рекомбинация носителей заряда полупроводника, сопровождаемая выделением фотона
54.
Фононная рекомбинация носителей заряда полупроводникаФононная рекомбинация Межзонная рекомбинация носителей заряда полупроводника, сопровождающаяся передачей акустической энергии кристаллической решетке
55.
Поверхностная рекомбинация носителей заряда полупроводникаПоверхностная рекомбинация Рекомбинация носителей заряда на поверхностных дефектах полупроводника
56.
Диффузионный ток Направленное движение зарядов в полупроводнике, возникающее вследствие градиента концентрации носителей заряда
57.
Дрейфовый ток Направленное движение носителей заряда в полупроводнике, вызванное градиентом потенциала электрического поля
58.
Биполярная диффузия неравновесных носителей заряда полупроводникаБиполярная диффузия Совместная диффузия неравновесных электронов и дырок при наличии электрического поля
59.
Прямой переход в полупроводникеПрямой переходНдп. Вертикальный переход Переход электрона в полупроводнике из валентной зоны в зону проводимости с сохранением волнового вектора
ЭФФЕКТЫ В ПОЛУПРОВОДНИКАХ
60.
Фоторезистивный эффект Изменение электрического сопротивления полупроводника, обусловленное исключительно действием оптического излучения и не связанное с его нагреванием
61.
Кристалл-фотоэффект Возникновение электрического поля в однородном неравномерно освещенном полупроводнике
62.
Эффект поля в полупроводникеЭффект поля Изменение электропроводности приповерхностного слоя полупроводника под воздействием электрического поля
63.
Фотомагнитоэлектрический эффект Возникновение в полупроводнике электрического поля, напряженность которого перпендикулярна магнитной индукции и потоку диффундирующих частиц под действием электромагнитного излучения
64.
Термомагнитный эффектНдп. Эффект Риги-Ледюка Возникновение поперечного градиента температур в полупроводнике при наличии продольного градиента температур и при воздействии поперечного магнитного поля
65.
Электротермический эффектНдп. Эффект Томсона Выделение или поглощение тепловой энергии, обусловленное продольным градиентом температуры при протекании электрического тока через однородный полупроводник
66.
Термогальванический эффектНдп. Эффект Нернста-Эттингсхаузена Возникновение поперечной напряженности электрического поля в полупроводнике вследствие наличия продольного градиента температур и поперечного магнитного поля
67.
Поперечный термогальваномагнитный эффектНдп. Эффект Эттингсхаузена Возникновение поперечного градиента температур в полупроводнике вследствие разброса скоростей носителей при протекании электрического тока и при воздействии поперечного магнитного поля
68.
Продольный термогальваномагнитный эффектЭффект Нернста Возникновение продольного градиента температур в полупроводнике вследствие разброса скоростей носителей зарядов при протекании через него электрического тока и при воздействии поперечного магнитного поля
69.
Магниторезистивный эффект Изменение электрического сопротивления полупроводника под действием магнитного поля
70.
Эффект Холла Возникновение поперечного электрического поля при протекании электрического тока через полупроводник, помещенный в магнитное поле
71.
Эффект Ганна Генерация высокочастотных колебаний электрического тока в полупроводнике под действием постоянного электрического поля
ЗОННАЯ СТРУКТУРА ПОЛУПРОВОДНИКОВ
72.
Энергетическая зона полупроводникаЭнергетическая зона Область значений полной энергии электронов в кристалле полупроводника
73.
Разрешенная зона полупроводникаРазрешенная зона Энергетическая зона или совокупность перекрывающихся в результате расщепления из какого-либо одного или нескольких энергетических уровней изолированных атомов в процессе образования структуры кристалла
74.
Запрещенная зона полупроводникаЗапрещенная зона Область значений энергии, которыми не могут обладать электроны в полупроводнике
75.
Свободная зона полупроводника Разрешенная зона полупроводника, в которой отсутствуют электроны проводимости при абсолютном нуле температуры
76.
Зона проводимости полупроводникаЗона проводимости Свободная зона полупроводника, на уровнях которой при возбуждении могут находиться электроны проводимости
77.
Заполненная зона полупроводникаЗаполненная зона Разрешенная зона полупроводника, в которой при абсолютном нуле температуры все энергетические уровни заняты электронами
78.
Валентная зона полупроводникаВалентная зона Верхняя из заполненных зон полупроводника
79.
Ширина запрещенной зоны полупроводникаШирина запрещенной зоны Разность энергий между нижним уровнем зоны проводимости и верхним уровнем валентной зоны полупроводника
80.
Локальный энергетический уровень полупроводникаЛокальный уровень Энергетический уровень, расположенный в запрещенной зоне полупроводника, обусловленный дефектом решетки, когда взаимодействием отдельных дефектов можно пренебречь
81.
Примесный уровень полупроводникаПримесный уровень Локальный энергетический уровень полупроводника обусловленный примесью
82.
Демаркационный уровень полупроводникаДемаркационный уровень Локальный энергетический уровень полупроводника, для которого процессы рекомбинации и возврата в разрешенную зону в результате тепловых колебаний решетки равновероятны
83.
Примесная зона полупроводникаПримесная зона Энергетическая зона, образованная при взаимодействии примесей совокупностью примесных уровней, находящихся в запрещенной зоне полупроводника

(Измененная редакция, Изм. № 1).

АЛФАВИТНЫЙ УКАЗАТЕЛЬ ТЕРМИНОВ НА РУССКОМ ЯЗЫКЕ

Время жизни неравновесных носителей заряда полупроводника объемное
34
Время жизни неравновесных носителей заряда полупроводника поверхностное
35
Время жизни неравновесных носителей заряда полупроводника эффективное
36
Время жизни объемное
34
Время жизни поверхностное
35
Время жизни эффективное
36
Генерация
47
Генерация носителей заряда полупроводника
47
Генерация носителей заряда полупроводника световая биполярная
50
Генерация носителей заряда полупроводника световая монополярная
49
Генерация пары
48
Генерация пары носителей заряда
48
Генерация световая биполярная
50
Генерация световая монополярная
49
Диффузия биполярная
58
Диффузия неравновесных носителей заряда полупроводника биполярная
58
Длина диффузионная
33
Длина дрейфа
37
Длина дрейфа неравновесных носителей заряда полупроводника
37
Длина неосновных носителей заряда полупроводника диффузионная
33
Дырка
14
Дырка проводимости
14
Захват носителя
22
Захват носителя заряда полупроводника
44
Зона валентная
78
Зона заполненная
77
Зона запрещенная
74
Зона полупроводника валентная
78
Зона полупроводника заполненная
77
Зона полупроводника запрещенная
74
Зона полупроводника примесная
83
Зона полупроводника разрешенная
73
Зона полупроводника свободная
75
Зона полупроводника энергетическая
72
Зона примесная
83
Зона проводимости
76
Зона проводимости полупроводника
76
Зона разрешенная
73
Зона свободная
75
Зона энергетическая
72
Инжекция
45
Инжекция носителей заряда
45
Концентрация вырождения
40
Концентрация вырождения полупроводника
40
Концентрация дырок критическая
30
Концентрация дырок проводимости полупроводника критическая
30
Концентрация избыточная
28
Концентрация неравновесная
27
Концентрация неравновесных носителей заряда полупроводника
27
Концентрация носителей заряда полупроводника избыточная
28
Концентрация носителей заряда полупроводника равновесная
26
Концентрация носителей заряда полупроводника собственная
25
Концентрация равновесная
26
Концентрация собственная
25
Концентрация электронов критическая
29
Концентрация электронов проводимости полупроводника критическая
29
Кристалл-фотоэффект
61
Масса носителя заряда полупроводника эффективная
31
Масса носителя заряда эффективная
31
Материал полупроводниковый
1
Носитель заряда
13
Носители заряда горячие
19
Носители заряда полупроводника неосновные
16
Носители заряда полупроводника неравновесные
18
Носители заряда полупроводника основные
15
Носители заряда полупроводника равновесные
17
Носители неосновные
16
Носители неравновесные
18
Носители основные
15
Носители равновесные
17
Носители тепловые
17
Освобождение носителя
43
Освобождение носителя заряда полупроводника
43
Переход вертикальный
59
Переход в полупроводнике прямой
59
Переход прямой
59
Полупроводник
2
Полупроводник вырожденный
9
Полупроводник дырочный
6
Полупроводник компенсированный частично
11
Полупроводник невырожденный
10
Полупроводник примесный
7
Полупроводник простой
3
Полупроводник скомпенсированный
12
Полупроводник сложный
4
Полупроводник собственный
8
Полупроводник электронный
5
Проводимость дырочная
21
Проводимость собственная
22
Проводимость электронная
20
Рекомбинация
51
Рекомбинация межзонная
52
Рекомбинация носителей заряда полупроводника
51
Рекомбинация носителей заряда полупроводника межзонная
52
Рекомбинация носителей заряда полупроводника поверхностная
55
Рекомбинация носителей заряда полупроводника фононная
54
Рекомбинация носителей заряда полупроводника фотонная
53
Рекомбинация поверхностная
55
Рекомбинация прямая
52
Рекомбинация фононная
54
Рекомбинация фотонная
53
Сечение захвата носителя заряда полупроводника эффективное
32
Сечение захвата эффективное
32
Степень компенсации
41
Степень компенсации полупроводника
41
Скорость поверхностной рекомбинации
38
Скорость поверхностной рекомбинации носителей заряда полупроводника
38
Слой инверсионный
42
Слой полупроводника инверсионный
42
Ток диффузионный
56
Ток дрейфовый
57
Уровень демаркационный
82
Уровень локальный
72
Уровень полупроводника демаркационный
82
Уровень полупроводника примесный
81
Уровень полупроводника энергетический локальный
80
Уровень примесный
81
Фотопроводимость
24
Ширина запрещенной зоны
79
Ширина запрещенной зоны полупроводника
74
Экстракция
46
Экстракция носителей заряда
46
Электропроводность дырочная
21
Электропроводность полупроводника примесная
23
Электропроводность полупроводника электронная
20
Электропроводность примесная
23
Электропроводность собственная
22
Электропроводность электронная
20
Энергия активации
39
Энергия активации примесей полупроводника
39
Эффект Ганна
71
Эффект магниторезистивный
69
Эффект Нернста
68
Эффект Нернста-Эттингсхаузена
66
Эффект поля
62
Эффект поля в полупроводнике
62
Эффект Риги-Ледюка
64
Эффект термогальваномагнитный
66
Эффект термогальваномагнитный поперечный
67
Эффект термогальваномагнитный продольный
68
Эффект термомагнитный
64
Эффект Томсона
65
Эффект фотомагнитоэлектрический
63
Эффект фоторезистивный
60
Эффект Холла
70
Эффект электротермический
65
Эффект Эттингсхаузена
67
АЛФАВИТНЫЙ УКАЗАТЕЛЬ ТЕРМИНОВ НА НЕМЕЦКОМ ЯЗЫКЕ

Исключен, Изм. № 1).

АЛФАВИТНЫЙ УКАЗАТЕЛЬ ТЕРМИНОВ НА АНГЛИЙСКОМ ЯЗЫКЕ

(Исключен, Изм. № 1).

АЛФАВИТНЫЙ УКАЗАТЕЛЬ ТЕРМИНОВ НА ФРАНЦУЗСКОМ ЯЗЫКЕ

(Исключен, Изм. № 1).

ПРИЛОЖЕНИЕ Справочное. Общие понятия физики твердого тела, применяемые к полупроводникам

Термин
Определение
1.
Электрон проводимости Электрон, создающий электропроводность
2.
Полярон Квазичастица, представляющая собой состояние поляризации окружающего вещества, вызванное электроном проводимости, движение которого сопровождается перемещением созданной им области поляризации
3.
Экситон Квазичастица, представляющая собой электрически нейтральное состояние возбуждения электронов, способное перемещаться на много постоянных решетки и не сопровождающееся возникновением дополнительной проводимости
4.
Дефект решетки Нарушение периодичности решетки кристалла
5.
Примесный дефект решеткиПримесный дефект Дефект решетки, созданный атомом постороннего элемента
6.
Стехиометрический дефект решеткиСтехиометрический дефект Дефект решетки в соединении, созданный избытком или недостатком атомов по сравнению со стехиометрическим составом
7.
Точечный дефект решетки Стехиометрический дефект решетки, эффективные размеры которого порядка параметра решетки
8.
Поверхностный дефект решетки Дефект решетки, локализующийся в приповерхностном слое полупроводникового материала на глубинах, соизмеримых с параметрами решетки
9.
Ловушка захватаЛовушка Дефект решетки, способный захватывать подвижные носители заряда с последующим их освобождением
10.
Рекомбинационная ловушкаНдп. Центр рекомбинации Ловушка захвата, нейтрализующая захваченные носители заряда
11.
Акцептор Дефект решетки, способный при возбуждении захватывать электрон из валентной зоны
12.
Донор Дефект решетки, способный при возбуждении отдать электрон в зону проводимости
13.
Акцепторная примесь Примесь, атомы которой являются акцепторами.
14.
Донорная примесь Примесь, атомы которой являются донорами
15.
Подвижность носителей зарядаПодвижность Отношение средней установившейся скорости перемещения носителей заряда в направлении электрического поля к напряженности последнего
16.
Среднее время свободного пробега носителя зарядаВремя пробега Среднее время между двумя последовательными соударениями носителей заряда
17.
Средняя длина свободного пробега носителей зарядаДлина свободного пробега Среднее расстояние между двумя последовательными соударениями носителя заряда
18.
Коэффициент диффузии носителей заряда Отношение плотности потока подвижных носителей заряда одного типа к градиенту их концентрации в отсутствие электрического и магнитного полей
19.
Оптическое возбуждениеНдп. Оптическая накачка Генерация неравновесных носителей заряда при оптическом обучении полупроводника
20.
Инверсия населенностей Состояние полупроводника, при котором концентрация носителей заряда на возбужденных уровнях выше равновесной
21.
Электрическое возбуждение Возникновение инверсии населенностей в полупроводнике в результате воздействия электрического поля
22.
Собственное поглощение светаСобственное поглощение Поглощение полупроводником оптического излучения, обусловленное переходом электронов из валентной зоны в зону проводимости
23.
Экситонное поглощение Поглощение полупроводником оптического излучения, сопровождающееся образованием экситона
24.
Примесное поглощение Поглощение полупроводником оптического излучения, обусловленное возбуждением примесных дефектов
25.
Фотоэлектрическое поглощение Изменение поглощения оптического излучения в результате смещения границы собственного поглощения под воздействием на полупроводник электрического поля
26.
Уровень Ферми Энергетический уровень, вероятность заполнения которого равна 0,5 при температурах, отличных от температуры абсолютного нуля

ПРИЛОЖЕНИЕ. (Измененная редакция, Изм. № 1).

_________________________________________________

Добавить комментарий

Войти с помощью: 

Ваш e-mail не будет опубликован. Обязательные поля помечены *

Разместить задание
Авторизация
*
*
Войти с помощью: 
Регистрация
*
*
Номер телефона без знака «+», например «79876543210». На указанный номер будет выслан код подтверждения.

*
Войти с помощью: 
Нажимая кнопку "Зарегистрироваться" Вы даете согласие на обработку персональных данных в соответствии с "Пользовательским соглашением".
Генерация пароля