ГОСТ 22622-77 Материалы полупроводниковые. Термины и определения основных электрофизических параметров

Последнее Обновление Декабрь 11, 2018
< Назад

Настоящий стандарт устанавливает применяемые в науке, технике и производстве термины и определения основных понятий полупроводниковых материалов.

Введение

Термины, установленные настоящим стандартом, обязательны для применения в документации всех видов, учебниках, учебных пособиях, технической и справочной литературе. Приведенные определения можно, при необходимости, изменять по форме изложения, не допуская нарушения границ понятий.

Для каждого понятия установлен один стандартизованный термин. Недопустимые к применению термины-синонимы приведены в стандарте в качестве справочных и обозначены «Ндп».

Для отдельных стандартизованных терминов в стандарте приведены в качестве справочных краткие формы, которые разрешается применять в случаях, исключающих возможность их различного толкования.

В стандарте приведен алфавитный указатель содержащихся в нем терминов на русском языке.

Стандартизованные термины набраны полужирным шрифтом, их краткая форма — светлым, а недопустимые синонимы — курсивом.

В стандарте приведено приложение, содержащее общие понятия физики твердого тела, применяемые к полупроводникам.

Термин
Определение
1.
Проводниковый материалМатериал, предназначенный для использования его полупроводниковых свойств
2.
ПолупроводникПо ГОСТ 19880-74*
________________* На территории Российской Федерации действует ГОСТ Р 52002—2003 (здесь и далее).
ВИДЫ И СОСТОЯНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВ
3.
Простой полупроводникПолупроводник, основной состав которого образован атомами одного химического элемента
4.
Сложный полупроводникПолупроводник, основной состав которого образован атомами двух или большего числа химических элементов
5.
Электронный полупроводникПолупроводник, электропроводность которого обусловлена в основном перемещением электронов проводимости
6.
Дырочный полупроводникПолупроводник, электропроводность которого обусловлена в основном перемещением дырок проводимости
7.
Примесный полупроводникПолупроводник, электропроводность которого определяется примесями
8.
Собственный полупроводникПолупроводник, не содержащий примесей, влияющих на его электропроводность
9.
Вырожденный полупроводникПолупроводник, уровень Ферми в котором расположен в зоне проводимости или в валентной зоне, или же в запрещенной зоне на расстоянии от границ указанных зон, меньшем кТ
10.
Невырожденный полупроводникПолупроводник, уровень Ферми в котором расположен в запрещенной зоне на расстоянии от ее границ, большем кТ
11.
Частично компенсированный полупроводникПримесный полупроводник, электронная (дырочная) проводимость которого частично компенсирована дырочной (электронной) проводимостью примесей
12.
Скомпенсированный полупроводникПримесный полупроводник, в котором в нормальных условиях концентрации электронов проводимости и дырок проводимости одинаковы
ОСНОВНЫЕ ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВ
13.
Носитель зарядаПо ГОСТ 19880-74
14.
Дырка проводимостиДыркаНезаполненная валентная связь, которая проявляет себя как положительный заряд, численно равный заряду электрона
15.
Основные носители заряда полупроводникаОсновные носителиНосители заряда, концентрация которых в данном полупроводнике преобладает
16.
Неосновные носители заряда полупроводникаНеосновные носителиНосители заряда, концентрация которых в данном полупроводнике меньше, чем концентрация основных носителей заряда
17.
Равновесные носители заряда полупроводникаРавновесные носителиНдп. Тепловые носителиНосители заряда, возникновение которых явилось следствием тепловых колебаний кристаллической решетки полупроводника в условиях термодинамического равновесия
18.
Неравновесные носители заряда полупроводникаНеравновесные носителиНосители заряда полупроводника, не находящиеся в термодинамическом равновесии по концентрации и (или) по энергетическому распределению
19.
Горячие носители зарядаНеравновесные носители заряда полупроводника, средняя энергия которых существенно превышает равновесную энергию, соответствующую температуре кристаллической решетки
20.
Электронная электропроводность полупроводникаЭлектронная электропроводностьНдп. Электронная проводимостьЭлектропроводность полупроводника, обусловленная в основном перемещением электронов проводимости
21.
Дырочная электропроводностьНдп. Дырочная проводимостьЭлектропроводность полупроводника, обусловленная в основном перемещением дырок проводимости
22.
Собственная электропроводностьНдп. Собственная проводимостьЭлектропроводность полупроводника, обусловленная генерацией пар электрон проводимости — дырка проводимости при любом способе возбуждения
23.
Примесная электропроводность полупроводникаПримесная электропроводностьЭлектропроводность полупроводника, обусловленная ионизацией атомов донорной или акценторной примесей при любом способе возбуждения
24.
ФотопроводимостьЭлектропроводность полупроводника, обусловленная фоторезистивным эффектом
25.
Собственная концентрация носителей заряда полупроводникаСобственная концентрацияКонцентрация равновесных носителей заряда в собственном полупроводнике
26.
Равновесная концентрация носителей заряда полупроводникаРавновесная концентрацияКонцентрация подвижных носителей заряда в полупроводнике в условиях термодинамического равновесия
27.
Концентрация неравновесных носителей заряда полупроводникаНеравновесная концентрацияКонцентрация носителей заряда в полупроводнике, отличная от равновесной
28.
Избыточная концентрация носителей заряда полупроводникаИзбыточная концентрацияИзбыток концентрации неравновесных носителей заряда в полупроводнике над концентрацией равновесных носителей заряда
29.
Критическая концентрация электронов проводимости полупроводникаКритическая концентрация электроновКонцентрация электронов проводимости полупроводника, при которой уровень Ферми совпадает с нижней границей зоны проводимости
30.
Критическая концентрация дырок проводимости полупроводникаКритическая концентрация дырокКонцентрация дырок проводимости полупроводника, при которой уровень Ферми совпадает с верхней границей валентной зоны
31.
Эффективная масса носителя заряда полупроводникаЭффективная масса носителя зарядаВеличина, имеющая размерность массы и характеризующая движение носителя заряда в полупроводнике под действием внешнего электромагнитного поля
32.
Эффективное сечение захвата носителя заряда полупроводникаЭффективное сечение захватаВеличина, имеющая размерность площади и обратная произведению концентрации носителей заряда данного типа в полупроводнике на средний путь, проходимый носителями от освобождения до захвата
33.
Диффузионная длина неосновных носителей заряда полупроводникаДиффузионная длинаРасстояние, на котором в однородном полупроводнике при одномерной диффузии в отсутствие электрического и магнитного полей избыточная концентрация неосновных носителей заряда уменьшается вследствие рекомбинации в ераз
34.
Объемное время жизни неравновесных носителей заряда полупроводникаОбъемное время жизниСреднее время между генерацией и рекомбинацией неравновесных носителей зарядов в объеме полупроводника
35.
Поверхностное время жизни неравновесных носителей заряда полупроводникаПоверхностное время жизниОтношение избыточного количества неравновесных носителей заряда в объеме полупроводника к плотности их потока на поверхности
36.
Эффективное время жизни неравновесных носителей заряда полупроводникаЭффективное время жизниВеличина, характеризующая скорость убывания концентрации неравновесных носителей заряда вследствие их рекомбинации как в объеме, так и на поверхности полупроводника
37.
Длина дрейфа неравновесных носителей заряда полупроводникаДлина дрейфаСредняя длина переноса неравновесных носителей заряда в полупроводнике электрическим полем за время, прошедшее с момента их возбуждения до рекомбинации
38.
Скорость поверхностной рекомбинации носителей заряда полупроводникаСкорость поверхностной рекомбинацииОтношение плотности потока носителей заряда, рекомбинировавших на поверхности полупроводника, к концентрации избыточных носителей заряда у поверхности
39.
Энергия активации примесей полупроводникаЭнергия активацииМинимальная энергия возбуждения примесного атома, необходимая для создания примесной электропроводности полупроводника
40.
Концентрация вырождения полупроводникаКонцентрация вырожденияМинимальная концентрация носителей заряда, соответствующая вырождению полупроводника при данной температуре
41.
Степень компенсации полупроводникаСтепень компенсацииОтношение концентрации неосновных носителей заряда, созданных возбужденной примесью, и собственных носителей заряда полупроводника
42.
Инверсионный слой полупроводникаИнверсионный слойПриповерхностный слой полупроводника, обладающий электропроводностью, противоположной по закону электропроводности глубинных слоев
ПРОЦЕССЫ И ЯВЛЕНИЯ В ПОЛУПРОВОДНИКАХ
43.
Освобождение носителя заряда полупроводникаОсвобождение носителяВозникновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате возбуждения дефекта решетки полупроводника
44.
Захват носителя заряда полупроводникаЗахват носителяИсчезновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате перехода на локальный уровень дефекта решетки полупроводника
45.
Инжекция носителей зарядаИнжекцияВведение носителя заряда в полупроводник
46.
Экстракция носителей зарядаЭкстракцияВыведение носителя заряда из полупроводника
47.
Генерация носителей заряда полупроводникаГенерацияПроцесс превращения связанного электрона в свободный, сопровождающийся образованием незавершенной связи с избыточным положительным зарядом
48.
Генерация пары носителей зарядаГенерация парыВозникновение в полупроводнике пары электрон проводимости — дырка проводимости в результате энергетического воздействия
49.
Монополярная световая генерация носителей заряда полупроводникаМонополярная световая генерацияВозникновение в полупроводнике в результате оптического возбуждения неравновесных носителей одного знака
50.
Биполярная световая генерация носителей заряда полупроводникаБиполярная световая генерацияВозникновение в полупроводнике в результате оптического возбуждения равного числа носителей зарядов обоих знаков
51.
Рекомбинация носителей заряда полупроводникаРекомбинацияНейтрализация пары электрон проводимости — дырка проводимости
52.
Межзонная рекомбинация носителей заряда полупроводникаМежзонная рекомбинацияНдп. Прямая рекомбинацияРекомбинация носителей заряда полупроводника, осуществляемая путем перехода свободного электрона в валентную зону
53.
Фотонная рекомбинация носителей заряда полупроводникаФотонная рекомбинацияМежзонная рекомбинация носителей заряда полупроводника, сопровождаемая выделением фотона
54.
Фононная рекомбинация носителей заряда полупроводникаФононная рекомбинацияМежзонная рекомбинация носителей заряда полупроводника, сопровождающаяся передачей акустической энергии кристаллической решетке
55.
Поверхностная рекомбинация носителей заряда полупроводникаПоверхностная рекомбинацияРекомбинация носителей заряда на поверхностных дефектах полупроводника
56.
Диффузионный токНаправленное движение зарядов в полупроводнике, возникающее вследствие градиента концентрации носителей заряда
57.
Дрейфовый токНаправленное движение носителей заряда в полупроводнике, вызванное градиентом потенциала электрического поля
58.
Биполярная диффузия неравновесных носителей заряда полупроводникаБиполярная диффузияСовместная диффузия неравновесных электронов и дырок при наличии электрического поля
59.
Прямой переход в полупроводникеПрямой переходНдп. Вертикальный переходПереход электрона в полупроводнике из валентной зоны в зону проводимости с сохранением волнового вектора
ЭФФЕКТЫ В ПОЛУПРОВОДНИКАХ
60.
Фоторезистивный эффектИзменение электрического сопротивления полупроводника, обусловленное исключительно действием оптического излучения и не связанное с его нагреванием
61.
Кристалл-фотоэффектВозникновение электрического поля в однородном неравномерно освещенном полупроводнике
62.
Эффект поля в полупроводникеЭффект поляИзменение электропроводности приповерхностного слоя полупроводника под воздействием электрического поля
63.
Фотомагнитоэлектрический эффектВозникновение в полупроводнике электрического поля, напряженность которого перпендикулярна магнитной индукции и потоку диффундирующих частиц под действием электромагнитного излучения
64.
Термомагнитный эффектНдп. Эффект Риги-ЛедюкаВозникновение поперечного градиента температур в полупроводнике при наличии продольного градиента температур и при воздействии поперечного магнитного поля
65.
Электротермический эффектНдп. Эффект ТомсонаВыделение или поглощение тепловой энергии, обусловленное продольным градиентом температуры при протекании электрического тока через однородный полупроводник
66.
Термогальванический эффектНдп. Эффект Нернста-ЭттингсхаузенаВозникновение поперечной напряженности электрического поля в полупроводнике вследствие наличия продольного градиента температур и поперечного магнитного поля
67.
Поперечный термогальваномагнитный эффектНдп. Эффект ЭттингсхаузенаВозникновение поперечного градиента температур в полупроводнике вследствие разброса скоростей носителей при протекании электрического тока и при воздействии поперечного магнитного поля
68.
Продольный термогальваномагнитный эффектЭффект НернстаВозникновение продольного градиента температур в полупроводнике вследствие разброса скоростей носителей зарядов при протекании через него электрического тока и при воздействии поперечного магнитного поля
69.
Магниторезистивный эффектИзменение электрического сопротивления полупроводника под действием магнитного поля
70.
Эффект ХоллаВозникновение поперечного электрического поля при протекании электрического тока через полупроводник, помещенный в магнитное поле
71.
Эффект ГаннаГенерация высокочастотных колебаний электрического тока в полупроводнике под действием постоянного электрического поля
ЗОННАЯ СТРУКТУРА ПОЛУПРОВОДНИКОВ
72.
Энергетическая зона полупроводникаЭнергетическая зонаОбласть значений полной энергии электронов в кристалле полупроводника
73.
Разрешенная зона полупроводникаРазрешенная зонаЭнергетическая зона или совокупность перекрывающихся в результате расщепления из какого-либо одного или нескольких энергетических уровней изолированных атомов в процессе образования структуры кристалла
74.
Запрещенная зона полупроводникаЗапрещенная зонаОбласть значений энергии, которыми не могут обладать электроны в полупроводнике
75.
Свободная зона полупроводникаРазрешенная зона полупроводника, в которой отсутствуют электроны проводимости при абсолютном нуле температуры
76.
Зона проводимости полупроводникаЗона проводимостиСвободная зона полупроводника, на уровнях которой при возбуждении могут находиться электроны проводимости
77.
Заполненная зона полупроводникаЗаполненная зонаРазрешенная зона полупроводника, в которой при абсолютном нуле температуры все энергетические уровни заняты электронами
78.
Валентная зона полупроводникаВалентная зонаВерхняя из заполненных зон полупроводника
79.
Ширина запрещенной зоны полупроводникаШирина запрещенной зоныРазность энергий между нижним уровнем зоны проводимости и верхним уровнем валентной зоны полупроводника
80.
Локальный энергетический уровень полупроводникаЛокальный уровеньЭнергетический уровень, расположенный в запрещенной зоне полупроводника, обусловленный дефектом решетки, когда взаимодействием отдельных дефектов можно пренебречь
81.
Примесный уровень полупроводникаПримесный уровеньЛокальный энергетический уровень полупроводника обусловленный примесью
82.
Демаркационный уровень полупроводникаДемаркационный уровеньЛокальный энергетический уровень полупроводника, для которого процессы рекомбинации и возврата в разрешенную зону в результате тепловых колебаний решетки равновероятны
83.
Примесная зона полупроводникаПримесная зонаЭнергетическая зона, образованная при взаимодействии примесей совокупностью примесных уровней, находящихся в запрещенной зоне полупроводника

(Измененная редакция, Изм. № 1).

АЛФАВИТНЫЙ УКАЗАТЕЛЬ ТЕРМИНОВ НА РУССКОМ ЯЗЫКЕ

Время жизни неравновесных носителей заряда полупроводника объемное
34
Время жизни неравновесных носителей заряда полупроводника поверхностное
35
Время жизни неравновесных носителей заряда полупроводника эффективное
36
Время жизни объемное
34
Время жизни поверхностное
35
Время жизни эффективное
36
Генерация
47
Генерация носителей заряда полупроводника
47
Генерация носителей заряда полупроводника световая биполярная
50
Генерация носителей заряда полупроводника световая монополярная
49
Генерация пары
48
Генерация пары носителей заряда
48
Генерация световая биполярная
50
Генерация световая монополярная
49
Диффузия биполярная
58
Диффузия неравновесных носителей заряда полупроводника биполярная
58
Длина диффузионная
33
Длина дрейфа
37
Длина дрейфа неравновесных носителей заряда полупроводника
37
Длина неосновных носителей заряда полупроводника диффузионная
33
Дырка
14
Дырка проводимости
14
Захват носителя
22
Захват носителя заряда полупроводника
44
Зона валентная
78
Зона заполненная
77
Зона запрещенная
74
Зона полупроводника валентная
78
Зона полупроводника заполненная
77
Зона полупроводника запрещенная
74
Зона полупроводника примесная
83
Зона полупроводника разрешенная
73
Зона полупроводника свободная
75
Зона полупроводника энергетическая
72
Зона примесная
83
Зона проводимости
76
Зона проводимости полупроводника
76
Зона разрешенная
73
Зона свободная
75
Зона энергетическая
72
Инжекция
45
Инжекция носителей заряда
45
Концентрация вырождения
40
Концентрация вырождения полупроводника
40
Концентрация дырок критическая
30
Концентрация дырок проводимости полупроводника критическая
30
Концентрация избыточная
28
Концентрация неравновесная
27
Концентрация неравновесных носителей заряда полупроводника
27
Концентрация носителей заряда полупроводника избыточная
28
Концентрация носителей заряда полупроводника равновесная
26
Концентрация носителей заряда полупроводника собственная
25
Концентрация равновесная
26
Концентрация собственная
25
Концентрация электронов критическая
29
Концентрация электронов проводимости полупроводника критическая
29
Кристалл-фотоэффект
61
Масса носителя заряда полупроводника эффективная
31
Масса носителя заряда эффективная
31
Материал полупроводниковый
1
Носитель заряда
13
Носители заряда горячие
19
Носители заряда полупроводника неосновные
16
Носители заряда полупроводника неравновесные
18
Носители заряда полупроводника основные
15
Носители заряда полупроводника равновесные
17
Носители неосновные
16
Носители неравновесные
18
Носители основные
15
Носители равновесные
17
Носители тепловые
17
Освобождение носителя
43
Освобождение носителя заряда полупроводника
43
Переход вертикальный
59
Переход в полупроводнике прямой
59
Переход прямой
59
Полупроводник
2
Полупроводник вырожденный
9
Полупроводник дырочный
6
Полупроводник компенсированный частично
11
Полупроводник невырожденный
10
Полупроводник примесный
7
Полупроводник простой
3
Полупроводник скомпенсированный
12
Полупроводник сложный
4
Полупроводник собственный
8
Полупроводник электронный
5
Проводимость дырочная
21
Проводимость собственная
22
Проводимость электронная
20
Рекомбинация
51
Рекомбинация межзонная
52
Рекомбинация носителей заряда полупроводника
51
Рекомбинация носителей заряда полупроводника межзонная
52
Рекомбинация носителей заряда полупроводника поверхностная
55
Рекомбинация носителей заряда полупроводника фононная
54
Рекомбинация носителей заряда полупроводника фотонная
53
Рекомбинация поверхностная
55
Рекомбинация прямая
52
Рекомбинация фононная
54
Рекомбинация фотонная
53
Сечение захвата носителя заряда полупроводника эффективное
32
Сечение захвата эффективное
32
Степень компенсации
41
Степень компенсации полупроводника
41
Скорость поверхностной рекомбинации
38
Скорость поверхностной рекомбинации носителей заряда полупроводника
38
Слой инверсионный
42
Слой полупроводника инверсионный
42
Ток диффузионный
56
Ток дрейфовый
57
Уровень демаркационный
82
Уровень локальный
72
Уровень полупроводника демаркационный
82
Уровень полупроводника примесный
81
Уровень полупроводника энергетический локальный
80
Уровень примесный
81
Фотопроводимость
24
Ширина запрещенной зоны
79
Ширина запрещенной зоны полупроводника
74
Экстракция
46
Экстракция носителей заряда
46
Электропроводность дырочная
21
Электропроводность полупроводника примесная
23
Электропроводность полупроводника электронная
20
Электропроводность примесная
23
Электропроводность собственная
22
Электропроводность электронная
20
Энергия активации
39
Энергия активации примесей полупроводника
39
Эффект Ганна
71
Эффект магниторезистивный
69
Эффект Нернста
68
Эффект Нернста-Эттингсхаузена
66
Эффект поля
62
Эффект поля в полупроводнике
62
Эффект Риги-Ледюка
64
Эффект термогальваномагнитный
66
Эффект термогальваномагнитный поперечный
67
Эффект термогальваномагнитный продольный
68
Эффект термомагнитный
64
Эффект Томсона
65
Эффект фотомагнитоэлектрический
63
Эффект фоторезистивный
60
Эффект Холла
70
Эффект электротермический
65
Эффект Эттингсхаузена
67
АЛФАВИТНЫЙ УКАЗАТЕЛЬ ТЕРМИНОВ НА НЕМЕЦКОМ ЯЗЫКЕ

Исключен, Изм. № 1).

АЛФАВИТНЫЙ УКАЗАТЕЛЬ ТЕРМИНОВ НА АНГЛИЙСКОМ ЯЗЫКЕ

(Исключен, Изм. № 1).

АЛФАВИТНЫЙ УКАЗАТЕЛЬ ТЕРМИНОВ НА ФРАНЦУЗСКОМ ЯЗЫКЕ

(Исключен, Изм. № 1).

ПРИЛОЖЕНИЕ Справочное. Общие понятия физики твердого тела, применяемые к полупроводникам

Термин
Определение
1.
Электрон проводимостиЭлектрон, создающий электропроводность
2.
ПоляронКвазичастица, представляющая собой состояние поляризации окружающего вещества, вызванное электроном проводимости, движение которого сопровождается перемещением созданной им области поляризации
3.
ЭкситонКвазичастица, представляющая собой электрически нейтральное состояние возбуждения электронов, способное перемещаться на много постоянных решетки и не сопровождающееся возникновением дополнительной проводимости
4.
Дефект решеткиНарушение периодичности решетки кристалла
5.
Примесный дефект решеткиПримесный дефектДефект решетки, созданный атомом постороннего элемента
6.
Стехиометрический дефект решеткиСтехиометрический дефектДефект решетки в соединении, созданный избытком или недостатком атомов по сравнению со стехиометрическим составом
7.
Точечный дефект решеткиСтехиометрический дефект решетки, эффективные размеры которого порядка параметра решетки
8.
Поверхностный дефект решеткиДефект решетки, локализующийся в приповерхностном слое полупроводникового материала на глубинах, соизмеримых с параметрами решетки
9.
Ловушка захватаЛовушкаДефект решетки, способный захватывать подвижные носители заряда с последующим их освобождением
10.
Рекомбинационная ловушкаНдп. Центр рекомбинацииЛовушка захвата, нейтрализующая захваченные носители заряда
11.
АкцепторДефект решетки, способный при возбуждении захватывать электрон из валентной зоны
12.
ДонорДефект решетки, способный при возбуждении отдать электрон в зону проводимости
13.
Акцепторная примесьПримесь, атомы которой являются акцепторами.
14.
Донорная примесьПримесь, атомы которой являются донорами
15.
Подвижность носителей зарядаПодвижностьОтношение средней установившейся скорости перемещения носителей заряда в направлении электрического поля к напряженности последнего
16.
Среднее время свободного пробега носителя зарядаВремя пробегаСреднее время между двумя последовательными соударениями носителей заряда
17.
Средняя длина свободного пробега носителей зарядаДлина свободного пробегаСреднее расстояние между двумя последовательными соударениями носителя заряда
18.
Коэффициент диффузии носителей зарядаОтношение плотности потока подвижных носителей заряда одного типа к градиенту их концентрации в отсутствие электрического и магнитного полей
19.
Оптическое возбуждениеНдп. Оптическая накачкаГенерация неравновесных носителей заряда при оптическом обучении полупроводника
20.
Инверсия населенностейСостояние полупроводника, при котором концентрация носителей заряда на возбужденных уровнях выше равновесной
21.
Электрическое возбуждениеВозникновение инверсии населенностей в полупроводнике в результате воздействия электрического поля
22.
Собственное поглощение светаСобственное поглощениеПоглощение полупроводником оптического излучения, обусловленное переходом электронов из валентной зоны в зону проводимости
23.
Экситонное поглощениеПоглощение полупроводником оптического излучения, сопровождающееся образованием экситона
24.
Примесное поглощениеПоглощение полупроводником оптического излучения, обусловленное возбуждением примесных дефектов
25.
Фотоэлектрическое поглощениеИзменение поглощения оптического излучения в результате смещения границы собственного поглощения под воздействием на полупроводник электрического поля
26.
Уровень ФермиЭнергетический уровень, вероятность заполнения которого равна 0,5 при температурах, отличных от температуры абсолютного нуля

ПРИЛОЖЕНИЕ. (Измененная редакция, Изм. № 1).

_________________________________________________

Добавить комментарий

Ваш e-mail не будет опубликован. Обязательные поля помечены *

Авторизация
*
*
Регистрация
*
*
Номер телефона без знака «+», например «79876543210». На указанный номер будет выслан код подтверждения.

*
Нажимая кнопку "Зарегистрироваться" Вы даете согласие на обработку персональных данных в соответствии с "Пользовательским соглашением".
Генерация пароля